师从NVMe固态硬盘：UFS3.1手机闪存将新增大量功能特性!

近日JEDEC宣布了UFS 3.1标准（JESD220E），新标准针对高性能、低功耗移动应用提供了一系列更新。新标准的UFS闪存或将成为下一代旗舰手机和部分二合一平板电脑的标准配置。

UFS3.1将沿用MIPIM-PHY v4.1物理层规范和MIPIUniPro v1.8传输层规范，理论带宽23.2 Gbps（同UFS3.0相同）。主要改进包括写入加速、深度睡眠和性能受限通知，有助于简化设计、降低系统成本并提高设备性能。

写入加速（Write Booster）提供了一种通过TLC/QLC闪存模拟SLC写入来提高性能的方法。SLC缓存已经广泛应用于SSD固态硬盘及部分SD存储卡、优盘当中，可以提高突发写入性能。USF3.1标准首次在UFS闪存中将其标准化。

深度睡眠（DeepSleep）提供了一种新的低功耗状态，适用于共用UFS稳压器实现其他功能的廉价设备。

性能受限通知则允许UFS闪存在温度过高、不得不限制性能时主动通知主机，允许设备对此进行针对性的反应。UFS闪存和NVMe固态硬盘一样面临过热问题，性能受限通知有师从NVMe标准的影子。

除了以上三个标准特性之外，JEDEC还以JESD220-3可选性补充标准的形式提供了"主机性能增强器"（Host Performance Booster）功能。该功能类似于NVMe协议中的HMB（主机内存共享），允许存储设备共享部分主机DRAM内存用于存储LUT闪存映射表，只需使用较小容量的共享内存就能实现随机读写性能的大幅提升。对于UFS闪存这种不具备集成DRAM缓存的存储器而言，"主机性能增强器"绝对是个提振性能的利器。